全球前十大晶圓代工營(yíng)收排名

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院在最新報(bào)告中指出，預(yù)估第一季全球晶圓代工總產(chǎn)值將較2018年同期衰退約16%，達(dá)146.2億美元。其中市占率排名前三的分別為臺(tái)積電、三星與格芯。盡管臺(tái)積電市占率達(dá)48.1%，但第一季營(yíng)收年成長(zhǎng)率衰退近18%。

2019年第一季晶圓代工業(yè)者排名與去年相比變化不大，僅力晶因12英寸代工需求下滑而面臨被高塔半導(dǎo)體反超的風(fēng)險(xiǎn)。

觀察前十大晶圓代工業(yè)者第一季的表現(xiàn)，包括臺(tái)積電(TSMC)、三星(Samsung LSI)、格芯 (GLOBALFOUNDRIES)、聯(lián)電(UMC)、中芯(SMIC)、力晶(Powerchip)等業(yè)者，因12英寸晶圓代工市場(chǎng)需求疲軟，第一季營(yíng)收表現(xiàn)較去年同期下滑幅度均來(lái)到兩位數(shù)。

反觀以8英寸晶圓代工為主要業(yè)務(wù)的高塔半導(dǎo)體(TowerJazz)、世界先進(jìn)(Vanguard)、華虹半導(dǎo)體(Hua Hong)、東部高科(Dongbu HiTek)等業(yè)者，盡管8英寸晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求的現(xiàn)象已漸舒緩，年成長(zhǎng)率表現(xiàn)仍不如去年同期亮眼。但相較于以12英寸為主力的晶圓代工廠第一季兩位數(shù)的衰退幅度，可以說(shuō)其在半導(dǎo)體市場(chǎng)相對(duì)不景氣的第一季中穩(wěn)住陣腳。

國(guó)內(nèi)又一碳化硅項(xiàng)目將實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)

近日，媒體報(bào)道，位于山東青島萊西經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)的中科鋼研碳化硅項(xiàng)目正在加緊建設(shè)，今年將實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。

據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資10億元，占地約80畝，建筑面積5萬(wàn)平方米，主要生產(chǎn)高品質(zhì)、大規(guī)格碳化硅晶體襯底片。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)5萬(wàn)片4英寸碳化硅晶體襯底片與5000片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。

中科鋼研表示，未來(lái)將把國(guó)家級(jí)先進(jìn)晶體研究院設(shè)在萊西，專(zhuān)注碳化硅研發(fā)生產(chǎn)，力爭(zhēng)在三年內(nèi)接近歐美最高水平。

目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外企業(yè)所壟斷。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，已初步形成了涵蓋各環(huán)節(jié)的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈，在政策利好以及市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下，國(guó)內(nèi)企業(yè)在這一環(huán)節(jié)正努力跟跑與趕超。

Q2 NAND Flash市場(chǎng)展望

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）調(diào)查指出，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長(zhǎng)、蘋(píng)果新機(jī)銷(xiāo)售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類(lèi)NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過(guò)于求以來(lái)跌幅最劇的一季。

展望第二季，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經(jīng)第一季的需求低谷之后，智能手機(jī)、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。

另一方面，NAND Flash供應(yīng)商紛紛透過(guò)抑制資本支出、減緩新制程產(chǎn)出比重，甚至透過(guò)減產(chǎn)壓抑產(chǎn)出，雖無(wú)法立即扭轉(zhuǎn)供過(guò)于求的態(tài)勢(shì)，但對(duì)于市場(chǎng)環(huán)境確實(shí)有正面的幫助。

綜上所述，第二季eMMC/UFS、SSD、Wafer等產(chǎn)品合約價(jià)仍將繼續(xù)下跌，但跌幅相較第一季則是有所收斂，落在10~15%的水位。

聞泰科技收購(gòu)安世半導(dǎo)體新進(jìn)展

聞泰科技收購(gòu)安世半導(dǎo)體迎來(lái)重大進(jìn)展，3月21日，聞泰科技發(fā)布一系列公告，確定了發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購(gòu)買(mǎi)資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書(shū)（草案），草案的公告意味著整個(gè)交易方案已經(jīng)塵埃落定，走完股東大會(huì)審批流程后即可上報(bào)證監(jiān)會(huì)。

聞泰科技的主要客戶為國(guó)際知名電子品牌廠商，其產(chǎn)品包括智能手機(jī)、IoT、筆記本電腦等，安世半導(dǎo)體所生產(chǎn)的電子產(chǎn)品核心元器件雖然廣泛應(yīng)用于上述消費(fèi)電子及計(jì)算機(jī)產(chǎn)品當(dāng)中，但是40%客戶和市場(chǎng)在歐美，40%以上的營(yíng)收來(lái)自于汽車(chē)功率半導(dǎo)體。

熟悉全球市場(chǎng)的聞泰科技可將安世半導(dǎo)體的產(chǎn)品大量引入到全球知名的手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、智能硬件等品牌客戶當(dāng)中，幫助安世在消費(fèi)電子、IoT、筆記本電腦市場(chǎng)領(lǐng)域擴(kuò)大市場(chǎng)份額。雙方的合作將為未來(lái)雙方的發(fā)展發(fā)揮出“1+1>2”的協(xié)同效應(yīng)。

如果順利通過(guò)證監(jiān)會(huì)審批，在5G正式商用的前一年完成這筆中國(guó)最大的半導(dǎo)體收購(gòu)案，雙方都迎來(lái)難得的發(fā)展良機(jī)。

廈門(mén)鑫天虹項(xiàng)目正式投產(chǎn)

日前，廈門(mén)火炬高新區(qū)的半導(dǎo)體設(shè)備項(xiàng)目鑫天虹公司正式投產(chǎn)。

2018年11月，鑫天虹項(xiàng)目正式落戶廈門(mén)火炬高新區(qū)。據(jù)悉，該項(xiàng)目計(jì)劃總投資2億美元，落戶后項(xiàng)目在短短三個(gè)月時(shí)間內(nèi)完成了萬(wàn)級(jí)、千級(jí)無(wú)塵車(chē)間的建設(shè)，預(yù)計(jì)這個(gè)月底將可交付第一臺(tái)半導(dǎo)體，隨著產(chǎn)能逐步提升，預(yù)計(jì)投產(chǎn)后第五年?duì)I收可達(dá)3.8億元。

廈門(mén)作為中國(guó)集成電路主要新興城市之一，現(xiàn)已聚集了聯(lián)芯、士蘭微、星宸、美日光罩等一系列企業(yè)，逐漸形成集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。報(bào)道稱，鑫天虹是廈門(mén)首家半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)，該項(xiàng)目投產(chǎn)將彌補(bǔ)設(shè)備環(huán)節(jié)的缺失，進(jìn)一步完善廈門(mén)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈條。

近年來(lái)，國(guó)內(nèi)正在大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，但最“卡脖子”的環(huán)節(jié)其實(shí)是材料設(shè)備業(yè)，國(guó)內(nèi)大多制造設(shè)備仍依賴進(jìn)口，不少地方政府亦正在努力補(bǔ)足這一環(huán)節(jié)，如無(wú)錫等城市亦大力推動(dòng)設(shè)備業(yè)發(fā)展。

三星宣布推出1Z納米制程DRAM

全球DRAM龍頭三星21日宣布，首次業(yè)界開(kāi)發(fā)第3代10納米等級(jí)（1Z納米制程）8GB高性能DRAM。這也是三星發(fā)展1Y納米制程DRAM之后，經(jīng)歷16個(gè)月，再開(kāi)發(fā)出更先進(jìn)制程的DRAM產(chǎn)品。

三星表示，1Z納米制程8GBDDR4DRAM的正式大量生產(chǎn)時(shí)間將落在2019下半年，以應(yīng)對(duì)下一代企業(yè)服務(wù)器需求，并有望能在2020年支援新高階個(gè)人計(jì)算機(jī)。

隨著1Z納米制程產(chǎn)品問(wèn)世，并成為業(yè)界最小的存儲(chǔ)器生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，目前三星已準(zhǔn)備好用新的1Z納米制程DDR4DRAM滿足日益成長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，生產(chǎn)效率比以前1Y納米等版DDR4DRAMUL4高20%以上。

三星表示，1Z納米制程8GBDDR4DRAM的正式大量生產(chǎn)時(shí)間將落在2019下半年，以應(yīng)對(duì)下一代企業(yè)服務(wù)器需求，并有望能在2020年支援新高階個(gè)人計(jì)算機(jī)。

除了提供市場(chǎng)需求，三星還指出，跨入1Z納米制程的DRAM生產(chǎn)，將為全球IT加快朝向下一代DRAM界面，包括DDR5、LPDDR5和GDDR6等預(yù)做準(zhǔn)備。

圖片聲明：封面圖片來(lái)源于正版圖片庫(kù)，拍信網(wǎng)。

如需獲取更多資訊，請(qǐng)關(guān)注全球半導(dǎo)體觀察官網(wǎng)（www.dramx.com）或搜索微信公眾賬號(hào)（全球半導(dǎo)體觀察）。

轉(zhuǎn)自https://www.dramx.com/Topic/20190323-16134.html